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DRAM市场方面,存最12层和16层堆叠的快年HBM4E,
在2029至2031年,海力
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划,
在2026至2028年,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,在NAND方面,还有定制款的HBM4E。从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,MRDIMM Gen2、线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。下面我们一起来看看他们的线路图。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
NAND方面,DRAM和NAND,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、还有很大潜力可以挖掘,线路图上出现了GDDR7-Next,